廣州市產(chǎn)品報廢銷(xiāo)毀處理中心
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銷(xiāo)毀文件檔案和機密信息載體
清除數據需求的兩個(gè)定義:
● 清除(Clearing):在重用媒體之前,完全刪除媒體中的數據程序,在清除媒體中的數據之前,工作環(huán)境可以提供可接受的保護水平。例如,為了有效地消除以前存儲的數據讀取,必須清除所有內部存儲器、緩沖區或其他可重復使用的內存。
● 銷(xiāo)毀(Sanitization):在重用媒體之前,完全刪除媒體中的數據程序,在銷(xiāo)毀媒體中的數據之前,工作環(huán)境無(wú)法提供可接受的保護水平。例如,當信息系統資源從保密信息控制下釋放到較低的保密水平時(shí),必須銷(xiāo)毀數據。
執行數據清除或銷(xiāo)毀的方法
舊版DOD 5220.22-M和后來(lái)的DSS C& 提出了17種刪除數據的方法,包括磁帶、磁盤(pán)、光盤(pán)、內存和其他四種存儲媒體,以及也可以暫存數據的打印機。在這些方法中,有15種適用于存儲媒體,可分為消磁、復制、紫外線(xiàn)刪除和物理?yè)p壞。
適用的存儲媒體類(lèi)型
四種存儲媒體包括:
● 磁帶:分為T(mén)ype I、II、III等3類(lèi),Type I磁化記錄中的磁場(chǎng)強度為350厄斯特(oersted,縮寫(xiě)為磁場(chǎng)強度單位Oe)以下,Type II介于351與750Oe之間,Type III則大于750Oe。
由于DOD 5220.22-M本參考表制定時(shí)間較早(已超過(guò)10年),因此上述磁帶磁化磁場(chǎng)強度標準與當前產(chǎn)品存在較大差距,如較常用的LTO-磁場(chǎng)強度分別高達2600和2710Oe。
● 磁盤(pán):包括Bernoulli磁盤(pán)、軟盤(pán)、不可移動(dòng)硬盤(pán)和可移動(dòng)硬盤(pán)四種類(lèi)型。
● 光盤(pán):包括多讀寫(xiě)、只讀和多讀寫(xiě)(WORM)等3種。
● 內存:包括動(dòng)態(tài)隨機內存:(DRAM)、靜態(tài)隨機存取內存(SRAM)、只讀存儲器(ROM)、存儲器只能程序讀?。≒ROM)、只讀存儲器可以程序刪除(EPROM)、快閃EPROM(Flash EPROM)、只讀取電子可變存儲器(EAPROM)、電子可以抹去只讀存儲器(EEPROM)、非揮發(fā)性RAM(NOVRAM),還有古磁芯、磁泡、磁阻、鍍磁線(xiàn)等13種內存。
有幾種方法可以完全刪除數據:
● 消磁:可分為磁帶和磁盤(pán)Type I與Type II消磁對應對應Type I、II兩種磁帶。
使用消磁時(shí)要特別注意兩件事,一是一些磁帶和提取硬盤(pán)(如LTO磁帶與Zip磁盤(pán))包含出廠(chǎng)時(shí)預錄的信息。如果強制消磁消失,這些媒體將無(wú)法重復使用。二是美國國防部Type I/II消磁標準太舊了。當前磁帶至少需要2500~30000才能消磁Oe消磁機;要消磁硬盤(pán),消磁能力將達到4000~5000 Oe以上。
● 覆蓋:包括幾種不同的方法,如填寫(xiě)所有存儲位置的單個(gè)字符;所有位置填寫(xiě)單個(gè)字符,然后隨機填寫(xiě)字符;隨機填寫(xiě)所有位置,所有位置填寫(xiě)0,所有位置填寫(xiě)1,或通過(guò)制造商提供的工具提前刪除芯片中的數據,然后填寫(xiě)所有位置,重復三次等。
● 紫外線(xiàn)照射刪除和刪除電源
適用于紫外線(xiàn)照射刪除EPROM,所有電源,包括電池,都適用于移除DRAM、NOVRAM與SRAM。
● 物理破壞:包括破裂、焚燒、徹底破碎、切割成條狀和熔化存儲媒體。除手動(dòng)破壞外,制造商還推出了穿刺和穿孔硬盤(pán)的自動(dòng)化設備。
符合規范要求的數據銷(xiāo)毀產(chǎn)品
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